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      光刻膠涂布工藝
      來源:《半導體工藝基礎精講》#半導體#顯影去膠工藝 | 作者:pmoe2a7d5 | 發布時間: 2024-01-16 | 720 次瀏覽 | 分享到:

      一、光刻膠的分類

              光刻膠是一種在半導體制造中使用的材料,用于制造微芯片和集成電路。光刻膠的分類通??梢曰谝韵聨讉€方面:

      1.化學成分: 光刻膠可以根據其化學成分的不同進行分類,分為正性光刻膠和負性光刻膠。正性光刻膠是光照射不到的地方留下圖形。負性光刻膠是光照射到的地方留下圖形。例如:

      正膠(Positive Photoresist): 曝光后變得更容易被溶解的光刻膠,未曝光區域保留。常見的正膠有novolac型正膠等。

      負膠(Negative Photoresist): 曝光后變得更難被溶解的光刻膠,曝光區域保留。負膠的例子包括methacrylate型負膠等。

      2.敏感波長: 光刻膠對曝光的光波長也有不同的選擇,例如:

      紫外線光刻膠(UV Photoresist): 對紫外線敏感,常見波長為365nm或248nm。

      深紫外線光刻膠(DUV Photoresist): 對更短波長的深紫外線(193nm或更短)敏感,用于更高分辨率的制程。

      3.用途和性能: 光刻膠還可以根據其在制造過程中的具體用途和性能進行分類,例如:

      用于多層工藝的光刻膠: 適用于多次重復光刻步驟的材料。

      高溫光刻膠: 能夠在高溫條件下保持穩定性的光刻膠,用于某些特殊制程。

      以上是光刻膠涂布工藝一些常見的分類方式,具體的分類還可能涉及到更多的特性和要求,根據具體應用和工藝的需要而選擇不同類型的光刻膠。

      二、光刻膠涂布工藝感光機理

            光刻膠涂布是半導體制造中的關鍵工藝步驟,用于制備芯片上的圖案。以下是光刻膠涂布工藝和感光機理的基本概念:

      光刻膠涂布工藝:

      基片準備: 首先,硅基片會經過一系列清洗和處理步驟,以確保表面干凈,并且能夠更好地與光刻膠結合。

      涂布光刻膠: 在基片表面涂布光刻膠,通常采用旋涂的方式。旋涂是將光刻膠滴在基片上,然后通過旋轉基片使其均勻分布。

      預烘烤: 涂布后,光刻膠需要進行短暫的預烘烤,以去除溶劑,使其更加均勻。

      曝光: 使用光刻機,通過光掩模將光刻膠的特定區域曝光于紫外光。光刻機會投射光刻膠表面的圖案,使其在曝光區域發生化學或物理變化。

      后烘烤: 曝光后,光刻膠需要進行后烘烤,以進一步固化和穩定曝光后的圖案。

      顯影: 通過顯影液處理,去除未曝光區域的光刻膠,留下曝光區域的圖案。

      清洗: 最后,清洗基片以去除顯影液等殘留物,準備進行下一步工藝。

      感光機理:

      光刻膠的感光機理涉及到化學反應。在曝光過程中,光刻膠中的感光劑會吸收紫外光能量,導致發生化學變化。這種變化通常表現為感光膠的溶解性或化學性質的改變。具體感光機理可能因所使用的光刻膠而異,但一般包括以下步驟:

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