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      晶圓封裝與后膜光刻膠(下)
      厚膜光刻膠和光刻聚合物目前已廣泛應用于先進封裝技術中。焊接凸點需要很厚的光阻層和較高重復精度,但并不要求很陡的側壁傾角;金凸點和銅布線則要求中等厚度的光阻膜,而且對側壁的精度與傾角要求都很高。對于感光介電材料中的過孔而言,最好應有傾斜的側壁傾角以便與介電層下的金屬焊盤保持良好接觸。
      來源: | 作者:pmoe2a7d5 | 發布時間: 2024-01-23 | 10088 次瀏覽 | 分享到:

      工藝中需要考慮的問題 

        如果要使用厚膜光刻膠,那么涂敷、烘干與曝光等許多工藝參數都與通常的1um厚光阻材料不同,需要重新設定。在涂敷過程中,厚的光刻膠會在晶圓邊緣形成鋸齒形??梢杂煤芏喾椒p少這種情況的發生,如多次涂敷且中速固化或者用溶劑將凸起部分軟化,然后再慢慢將其去掉等。BCB是一個特例,因為它在涂敷到晶圓上面后會迅速固化。建議使用一種旋轉式密封罩如SUSS ACS 200涂敷系統,這樣光阻材料就可以在固化前先散開。與敞開式滾涂方式相比這種方法只需要約一半的材料,可節省近50%,而且涂敷均勻性也有所增強。

        光阻層較厚時預烘會比較困難,而且溶劑揮發也比較慢。此時用干膜光阻材料如杜邦公司的MRC比較好一些,因為這種膜可以直接一層一層地貼于晶圓上。在特別厚的光阻層上不會使用BCB,所以溶劑很容易揮發,因此預烘時只需離加熱板僅幾毫米即可獲得較高質量的涂層分布。各種類型的厚膜Novolak光阻材料的固化既困難又耗時,通常美國使用AZ 4620,歐洲用AZ 4562,而日本則用TOK PMER P-LA900PMAZ LP。同樣,新的AZ 9260在涂敷后固化時所表現的性能與以前的產品都相同,在接觸到加熱板時其中的溶劑不會突然冒出來,而是在光阻層中產生氣縫與氣泡。換句話說,溶劑應充分排出,因為殘留的溶劑會影響到側壁的垂直度而形成鼓肚形。厚度在30um以下的光阻層可在110溫度下通過幾個貼近式加熱板進行預烘和固化,然后與加熱板直接接觸或離100um間隙保持57分鐘以進行適度排氣。厚度超過30um的采用多次涂敷方式,每次涂敷均用約60的加熱板進行固化。如果一次性涂敷30um以上,那么建議在60下固化1小時。

        光阻層越厚,所需曝光量也應增加,但是不能無限地增加曝光強度,因為強度超過400mW/cm2后會對很厚的正性光阻層造成損壞,這也許是因為光阻材料過熱造成的。不過也只有多次涂敷才會遇到這類問題,因為整版作貼近掩膜對位曝光時其強度不會超過100mW/cm2。Cyclotene是一種中等厚度的光敏負性聚合物,它能夠承受高強度曝光,但所需用量要隨曝光強度而增加,同樣強度在50100mW/cm2會比較理想。厚膜光刻膠的顯影時間比薄膜要長,而且正性光阻材料的顯影液濃度還要更高。一般的顯影時間為5分鐘,顯影液采用AZ 400 K和去離子水混合溶液,比例為1:3。攪拌顯影法應該適用于度為

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