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光刻機 -勻膠顯影工藝前后的主要設備
光刻機(Mask Aligner) 又名:掩模對準曝光機,曝光系統,光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻,所以叫 Mask Alignment System. 一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、勻膠(旋涂光刻膠)、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。 Photolithography(光刻) 意思是用光來(lái)制作一個(gè)圖形(工藝); 在硅片表面勻膠,然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過(guò)程將器件或電路結構臨時(shí)“復制”到硅片上的過(guò)程。
來(lái)源: | 作者:pmoe2a7d5 | 發(fā)布時(shí)間: 2020-03-27 | 7491 次瀏覽 | 分享到:


模對準曝光機 光源波長(cháng) 350 nm -450 nm 

生產(chǎn)集成電路的簡(jiǎn)要步驟: 利用模版去除晶圓表面的保護膜。 將晶圓浸泡在腐化劑中,失去保護膜的部分被腐蝕掉后形成電路。 用純水洗凈殘留在晶圓表面的雜質(zhì)。 其中曝光機就是利用紫外線(xiàn)通過(guò)模版去除晶圓表面的保護膜的設備。 一片晶圓可以制作數十個(gè)集成電路,根據模版曝光機分為兩種: 模版和晶圓大小一樣,模版不動(dòng)。 模版和集成電路大小一樣,模版隨曝光機聚焦部分移動(dòng)。 其中模版隨曝光機移動(dòng)的方式,模版相對曝光機中心位置不變,始終利用聚焦鏡頭中心部分能得到更高的精度。成為的主流 [1]  。 主要廠(chǎng)商編輯 曝光機是生產(chǎn)大規模集成電路的核心設備,制造和維護需要高度的光學(xué)和電子工業(yè)基礎,世界上只有少數廠(chǎng)家掌握。因此曝光機價(jià)格昂貴,通常在 3 千萬(wàn)至 5 億美元。 ASML 尼康 佳能 歐泰克 上海微電子裝備 SUSS ABM, Inc. 品牌編輯 光刻機的品牌眾多,根據采用不同技術(shù)路線(xiàn)的可以歸納成如下幾類(lèi): 高端的投影式光刻機可分為步進(jìn)投影和掃描投影光刻機兩種,分辨率通常七納米至幾微米之間,高端光刻機號稱(chēng)世界上最精密的儀器,世界上已有1.2億美金一臺的光刻機。高端光刻機堪稱(chēng)現代光學(xué)工業(yè)之花,其制造難度之大,全世界只有少數幾家公司能夠制造。國外品牌主要以荷蘭ASML(鏡頭來(lái)自德國),日本Nikon(intel曾經(jīng)購買(mǎi)過(guò)Nikon的高端光刻機)和日本Canon三大品牌為主。 位于我國上海的SMEE已研制出具有自主知識產(chǎn)權的投影式中端光刻機,形成產(chǎn)品系列初步實(shí)現海內外銷(xiāo)售。正在進(jìn)行其他各系列產(chǎn)品的研發(fā)制作工作。
生產(chǎn)線(xiàn)和研發(fā)用的低端光刻機為接近、接觸式光刻機,分辨率通常在數微米以上。主要有德國SUSS、美國MYCRO NXQ4006、以及中國品牌。 分類(lèi)編輯 光刻機一般根據操作的簡(jiǎn)便性分為三種,手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng) A 手動(dòng):指的是對準的調節方式,是通過(guò)手調旋鈕改變它的X軸,Y軸和thita角度來(lái)完成對準,對準精度可想而知不高了; B 半自動(dòng):指的是對準可以通過(guò)電動(dòng)軸根據CCD的進(jìn)行定位調諧; C 自動(dòng): 指的是 從基板的上載下載,曝光時(shí)長(cháng)和循環(huán)都是通過(guò)程序控制,自動(dòng)光刻機主要是滿(mǎn)足工廠(chǎng)對于處理量的需要。 紫外光源編輯 曝光系統最核心的部件之一是紫外光源。 常見(jiàn)光源分為: 可見(jiàn)光:g線(xiàn):436nm 紫外光(UV),i線(xiàn):365nm 深紫外光(DUV),KrF 準分子激光:248 nm, ArF 準分子激光:193 nm 極紫外光(EUV),10 ~ 15 nm 對光源系統的要求 a.有適當的波長(cháng)。波長(cháng)越短,可曝光的特征尺寸就越??;[波長(cháng)越短,就表示光刻的刀鋒越鋒利,刻蝕對于精度控制要求越高。]