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      光刻機 -勻膠顯影工藝前后的主要設備
      光刻機(Mask Aligner) 又名:掩模對準曝光機,曝光系統,光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻,所以叫 Mask Alignment System. 一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、勻膠(旋涂光刻膠)、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。 Photolithography(光刻) 意思是用光來制作一個圖形(工藝); 在硅片表面勻膠,然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“復制”到硅片上的過程。
      來源: | 作者:pmoe2a7d5 | 發布時間: 2020-03-27 | 5727 次瀏覽 | 分享到:


      模對準曝光機 光源波長 350 nm -450 nm 

      生產集成電路的簡要步驟: 利用模版去除晶圓表面的保護膜。 將晶圓浸泡在腐化劑中,失去保護膜的部分被腐蝕掉后形成電路。 用純水洗凈殘留在晶圓表面的雜質。 其中曝光機就是利用紫外線通過模版去除晶圓表面的保護膜的設備。 一片晶圓可以制作數十個集成電路,根據模版曝光機分為兩種: 模版和晶圓大小一樣,模版不動。 模版和集成電路大小一樣,模版隨曝光機聚焦部分移動。 其中模版隨曝光機移動的方式,模版相對曝光機中心位置不變,始終利用聚焦鏡頭中心部分能得到更高的精度。成為的主流 [1]  。 主要廠商編輯 曝光機是生產大規模集成電路的核心設備,制造和維護需要高度的光學和電子工業基礎,世界上只有少數廠家掌握。因此曝光機價格昂貴,通常在 3 千萬至 5 億美元。 ASML 尼康 佳能 歐泰克 上海微電子裝備 SUSS ABM, Inc. 品牌編輯 光刻機的品牌眾多,根據采用不同技術路線的可以歸納成如下幾類: 高端的投影式光刻機可分為步進投影和掃描投影光刻機兩種,分辨率通常七納米至幾微米之間,高端光刻機號稱世界上最精密的儀器,世界上已有1.2億美金一臺的光刻機。高端光刻機堪稱現代光學工業之花,其制造難度之大,全世界只有少數幾家公司能夠制造。國外品牌主要以荷蘭ASML(鏡頭來自德國),日本Nikon(intel曾經購買過Nikon的高端光刻機)和日本Canon三大品牌為主。 位于我國上海的SMEE已研制出具有自主知識產權的投影式中端光刻機,形成產品系列初步實現海內外銷售。正在進行其他各系列產品的研發制作工作。
      生產線和研發用的低端光刻機為接近、接觸式光刻機,分辨率通常在數微米以上。主要有德國SUSS、美國MYCRO NXQ4006、以及中國品牌。 分類編輯 光刻機一般根據操作的簡便性分為三種,手動、半自動、全自動 A 手動:指的是對準的調節方式,是通過手調旋鈕改變它的X軸,Y軸和thita角度來完成對準,對準精度可想而知不高了; B 半自動:指的是對準可以通過電動軸根據CCD的進行定位調諧; C 自動: 指的是 從基板的上載下載,曝光時長和循環都是通過程序控制,自動光刻機主要是滿足工廠對于處理量的需要。 紫外光源編輯 曝光系統最核心的部件之一是紫外光源。 常見光源分為: 可見光:g線:436nm 紫外光(UV),i線:365nm 深紫外光(DUV),KrF 準分子激光:248 nm, ArF 準分子激光:193 nm 極紫外光(EUV),10 ~ 15 nm 對光源系統的要求 a.有適當的波長。波長越短,可曝光的特征尺寸就越??;[波長越短,就表示光刻的刀鋒越鋒利,刻蝕對于精度控制要求越高。]

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